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中芯国际只论性能，把14纳米芯片做大，性能是否达到7纳米水平？

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网友提问：

中芯国际只论性能，把14纳米芯片做大，性能是否达到7纳米水平？

优质回答：

中芯国际是在梁孟松博士主导下研发的N+1工艺，是不需要荷兰ASML7nmEUV光刻机生产7nm芯片的一项芯片制程技术，从目前所披露的信息，用该技术生产的芯片其性能接近EU∨的7nm芯片，预计2020年底进行小批量试产。

中芯国际14nm工艺已经可以量产了，这项技术将满足国内90%以上芯片生产，12nm芯片已经进入客户导入阶段。更重要的是，中芯国际已经在发展新一代的N+1、N+2工艺，并且中芯国际N+1，和N+2工艺目前都不用EUV工艺，也可以搞定7nm芯片制造！

中芯国际N+1工艺和14nm相比，性能提升了20%，功耗降低了57%，逻辑面积缩小了63%，SoC面积减少了55%，简单来说N+1基本可以达到7nm工艺极别水平，因为芯片面积缩减55%意味着晶体管密度提升了1倍，这超过了14nm到10nm工艺的进化水平，这意味着什么呢？没有7nmEUⅤ光刻机我们依然可以做出手机高端芯片，虽然N+1工艺做芯片的未能全面达到7nmEUV制程芯片的性能，但不失为我们目前抗衡美国追杀华为的最好接替方案。

原本中芯国际是可以生产7nm芯片了，但在特朗普的干扰下，从荷兰订购的7nmEUV光刻机迟迟未送达，卡住了中芯国际的技术突破。所以中芯国际现在不得不开始寻找新的出路，现在中芯国际的14nm产能在急速爬坡，预计今年能够达到15K，相信不久的将来，美国再想以芯片阻止国内企业的发展已无可能。

在此我们看到，中芯国际己找到手机高端芯片7nm生产的替代方案，虽然芯片在其性能和功耗有点差距，但这依然是中国芯片的一大进步，也是中国芯片制造的新希望！只要该方案能成功上线做出流片，开始时成品率低一点也没关系，有我们强大的国家支持，有华为，中兴大力协助，一定能战胜危机，订购的荷兰7nmEUV光刻机将会随之解禁交付，这才是真正目的。

除此之外，我们还有反击的后手吗？我个人判断，会有：中芯国际在2019年5月24日退出美国股市，中芯国际CEO梁孟松博士是台积电当初立下汗马功劳的功臣，张忠谋的左右手，他曾经帮助台积电在130纳米“铜制程”之战中战胜了IBM，确立了台积电在晶圆代工市场的地位。后迫不得以情况下转战三星，梁孟松拿出了他老师胡正明14nm的FinFET技术，一举将三星20nm提升到14nm，三星开始蚕蚀台积电的业务做起苹果A7，A8芯片代工，后因台积电起诉梁孟松，使其不能继续为三星打工，2017年梁孟松受邀进入中芯国际，随后有300多芯片工程师（含台积电的）进入中国，梁孟松没有好戏在手，能上这个台吗？目前的N+1工艺就是第二代的FinFET技术。让我们共同期待吧！以上纯属个人判断，请点赞关注，携手跟进！

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中芯国际能够达到14nm工艺离不开曾经就职于台积电的梁孟松博士，算是填补了国内14纳米的制造工艺，而且现在的14纳米技术已经成功应用于市场上，在国家半导体鼓励半导体快速发展的阶段首先要感谢像梁博士这种高级人才在这方面做出的贡献，华为公司已经把中低端芯片生产订单交给中芯国际去制造，也是对国内芯片制造产业的一种支持，同时也能减少华为公司芯片制造的风险，毕竟只是单纯的依靠台积电一家企业，还是存在一定的风险，有了中芯国际的在中低端的支撑起码给华为公司吃了一个定心丸。中芯国际只论性能，把14纳米芯片做大，性能是否达到7纳米水平？

芯片难度主要分成两块，芯片的设计和芯片的制造工艺，在芯片设计上华为公司已经在集成芯片上有了长足的进步，在基带芯片方面已经跨入高端的行列，中兴在芯片设计上也有了很大的突破已经在7纳米实现了量产，这些都证明在芯片设计上国内的巨头企业已经有了突破，在龙头的带动下芯片必然能够一定程度上带动产业的发展。但在芯片制造工艺上差距还是非常明显，好在中芯国际在2017年赢来了梁孟松博士及其300多人的技术团队，这个团队在台积电以及三星公司都创造出巨大的成绩来，中国的芯片制造需要这种强有力的团队带动，中国的发展虽然迅速但在精细化工艺上明显的人才储备不够，需要有高水准的人才带动产业的发展。中芯国际只论性能，把14纳米芯片做大，性能是否达到7纳米水平？

梁孟松博士主导的FinFET手艺在此基础上延伸的N+1，N+2已经在积极的准备中，N+1算是对14纳米技术的升级版本，不仅仅在机能，功耗，逻辑面积上都有了较大程度的提升，预计在2020年底量产，N+1的工艺其实已经开始向着7纳米的技术迈进了，但是在规格上还存在很大的差异，其实从理论上讲可以将体积和功耗大一些，在工艺上先能够达这种过度的方式，中芯国际只要能够让梁孟松博士继续领导团队在7纳米技术上实现突破只是时间问题，还要保护这些技术人才不被外来的势力所迫害，也算是给中国的芯片制造点燃一个烛光，星星之火可以燎原。中芯国际只论性能，把14纳米芯片做大，性能是否达到7纳米水平？

本来中芯国际已经从荷兰ASML公司订购了7纳米的光刻机，但是由于美国一直在施加压力，这件事一直处于搁浅的状态，所以发展自己的制造工艺已经是必须要走的路，现在已经没有捷径可以走了，所以梁孟松博士推出N+1，N+2的方案就属于创新性的制造工艺，如果能够稳定的研发下去在将来突破7纳米技术也不是不可能的，国内由于之前的基础太过于薄弱相关的技术人员储备太差，而且由于国外技术上的封锁让荷兰的ASML公司已经成为垄断性质的存在，而且能够买到ASML公司产品的企业都要看美国的脸色，这就是技不如人的后果。中芯国际只论性能，把14纳米芯片做大，性能是否达到7纳米水平？

本来在中芯国际突破了14纳米的技术之后，荷兰的ASML松口卖7纳米的技术给中芯国际，其实也是为了抑制其快速发展的势头，抑制其自主的创新性，不想中芯国际未来成为最大的竞争对手，就整体而言国内半导体缺口还是非常的巨大，无论从半导体的零部件，还是芯片制造，芯片设计，原材料的加工等等几乎绝大部分都要依赖进口，国家在政策上也在不断的修正就是为了让国内的半导体行业能够快速的壮大起来。希望中芯国际的势头不要被外界的势力所干扰，能够持续的创新下去，起到龙头的带动作用也是国之幸事，希望能帮到你。

其他网友观点

按现有中芯的实际进度，根本不需要题主的这种假设，因为中芯已经在逐步向7nm工艺前进！我们不妨来看看中芯现有的发展情况吧！

1、中芯14nm已经量产：

早在2019年Q3中芯14nm就开始小规模量产，后续产能开始逐步爬坡，预计到2020年底将达到15000万片，最终产能应该是达到2万片。

2020年1月的时候，华为将自己的14nm芯片转交给了中芯进行代工生产，双方的这次合作可谓双赢。中芯代工可以避免华为未来进一步为被美国限制，同时也能解决中芯收入的问题，从而让中芯有较为充足的资金进一步支撑研发。当然，14nm工艺量产后不光是给华为生产手机芯片，还将会给其他行业生产。

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2、中芯N+1新制程进度：

在2020年2月的时候中芯公布了自己的新工艺制程的进度，也就是FinFET 制程 N+1 代，对于这代新工艺中芯并没有明确表示是7nm或8nm，但是从中芯公布的一些参数来看，坊间均猜测这代属于7nm低功耗版本，相比14nm工艺，N+1代功耗降低57%，效能增加20%，Soc面积和逻辑面积分布介绍55%及63%。从这些数据上来说，N+1这代工艺足以让芯片上的晶体管密度翻倍。

中芯国际只论性能，把14纳米芯片做大，性能是否达到7纳米水平？

目前N+1代中芯已经2019年末时进入到了客户验证导入阶段，按现有进度到2020年底就可以实现小规模的量产，到2021年时可以实现量产。

在中芯的规划中还有N+2代的工艺，对于这代业内人士认为仍旧属于7nm工艺，但性能相比N+1会有较大的提升，属性高性能的版本。

3、关于7nm光刻机的情况：

最后再聊一下EUV光刻机的事情，目前中芯从ASML订购的7nm光刻机一直未到位，显然这块也是被卡脖子了。不过，对于这种现状中芯认为在N+1制程上本身用不上EVU，等7nm光刻机就位后再将转到EUV上。

从当年台积电的情况来看，在没有EUV光刻机的情况下，可以通过DUV多重曝光来解决，可能中芯届时也会采用这种方式，不过对中心而言这其中还有很多技术问题要解决。

Lscssh科技官观点：

综合而言，以中芯现有的规划发展，如果顺利那最迟在2021年结束的时就能实现7nm制造工艺，完全没必要去考虑题主的各种假设。

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